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[출원]나트륨 이차전지용 양극활물질의 제조방법 및 이를 이용한 나트륨 이차전지- 발명인
명승택, 보로니나 나탈리아
- 특허번호
10-2021-0191232
- 등록일
2021-12-29
- 내 용
본 발명은 이차전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 나트륨 이차전지에 관한 것이다. 본 발명의 기술적 과제는 전지의 작동 전압 향상되고 구조적 안정성이 개선된 나트륨 이차전지용 양극활물질의 제조방법을 제공하는 것이다. 본 발명은...
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[출원]2차원 대상체 검출 시스템- 발명인
서용호, 응원딩공, 박예은
- 특허번호
10-2021-0114372
- 등록일
2021-08-30
- 내 용
본 발명은 2차원 대상체 검출 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기계적 박리에 의해 얻어진 원자 단일층의 2차원 소재 내지 물질을 자동으로 검출할 수 있는 2차원 대상체 검출 시스템을 제공한다. 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안...
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[출원]포토리소그래피 공정을 이용한 유무기 복합 페로브스카이트 패터닝 방법- 발명인
허광, 김동회, 홍윤화, 박인우, 강석범
- 특허번호
10-2021-0029667
- 등록일
2021-03-05
- 내 용
본 발명은 유무기 복합 페로브스카이트의 패터닝 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 포토리소그래피 공정을 적용할 때 페로브스카이트의 손상을 방지할 수 있는 유무기 복합 페로브스카이트의 패터닝 방법에 관한 것이다. 본 발명은 포토...
- 발명인
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[출원]유기물에 공유결합으로 연결되는 산화방지제 및 그의 제조방법- 발명인
홍성철, 라마 무티 아파, 김수연, 함성호
- 특허번호
10-2021-0161052
- 등록일
2021-11-22
- 내 용
본 발명은 유기물에 공유결합으로 연결되는 산화방지제 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 사슬의 어느 하나의 말단에 아지도 포르메이트기를 갖고 상기 사슬의 다른 하나의 말단에 페놀 유도체 잔기를 가짐으로써 분산성이 향상되고 휘발되지 않아 유...
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[출원]아지도 포르메이트의 무촉매 C-H 삽입 반응을 통해 제조된 긴 사슬 가지 달린 α-올 레핀 중합체 및 그의 제조방법- 발명인
홍성철, 김수연
- 특허번호
10-2021-0084852
- 등록일
2021-06-29
- 내 용
본 발명은 아지도 포르메이트의 무촉매 C-H 삽입 반응을 통해 제조된 긴 사슬 가지 달린 α-올레핀 중합체 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 아지도 포르메이트를 양 말단에 갖는 화합물을 이용하여 긴 사슬 가지 달린 α-올레핀 중합체...
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[출원]황-탄소 복합체 제조방법 및 이 복합체를 포함하는 나트륨-황 전지- 발명인
명승택, 조창흠
- 특허번호
10-2021-0109541
- 등록일
2021-08-19
- 내 용
본 발명은 나트륨-황 전지용 양극에 관한 것이다. 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 높은 용량 및 안정적인 수명 특성을 갖는 나트륨-황 전지용 양극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 나트륨-황 전지를 제공함에 있다. 황-탄소 복합체 제...
- 발명인
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[출원]아크 방전으로 합성된 보론 도핑 탄소나노튜브 및 이의 제조방법- 발명인
이내성, Sayed Muhammad Zain Mehdi
- 특허번호
10-2021-0083822
- 등록일
2021-06-28
- 내 용
본 발명은 보론이 도핑된 탄소나노튜브에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 아크 방전법을 이용하여 보론 도핑된 다중벽 탄소나노튜브 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명이 이루고자 하는 제1 기술적 과제는 아크 방전을 이용하여 전기 전도도, 도핑 ...
- 발명인
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[출원]표면이 안정한 이차전지용 양극 재료 및 그의 제조방법(Cathode material with stable surface for secondary batteries and method for producing the same)- 발명인
명승택, 조창흠
- 특허번호
10-2020-0134548
- 등록일
2020-10-16
- 내 용
본 발명은 이차전지에 관한 것으로, 구체적으로는 알칼리 금속 이차전지에 관한 것이다. 현재까지 개발된 이차전지의 양극 재료들은 여전히 안정성이 우수하 지 못하며, 이를 사용한 전지는 방전용량유지율 및 안정성에 대한 개선이 필요한 것으로 알...
- 발명인
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[출원]피 타입의 화합물 반도체의 제조방법(Method of manufacturing P-type Compound Semiconductor)- 발명인
이내성, 김상철, 이석헌
- 특허번호
10-2021-0000646
- 등록일
2021-01-05
- 내 용
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 p형 반도체층의 활성화 방법에 관한 것이다. 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 질화물 반도체의 p형 반도체층의 도판트 활성화 방법 및 이에 의해 제조되는 p형 반도체...
- 발명인
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[출원]전자 방출용 에미터(Emitter of used for emitting electron)- 발명인
이내성, Sayed Zafar Abbas, 이재휘
- 특허번호
10-2021-0000965
- 등록일
2021-01-05
- 내 용
본 발명은 냉전자를 방출하기 위한 에미터 및 그 제작방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 금속 실리사이드가 형성된 CNT(탄소나노튜브) 에미터 및 그 제작 방법에 관한 것이다. 냉전자를 방출하기 위한 CNT 에미터 및 그 제조방법이 개시...
- 발명인
