연구 Highlight
[출원]피 타입의 화합물 반도체의 제조방법(Method of manufacturing P-type Compound Semiconductor)
- 210105 10-2021-0000646_피 타입의 화합물 반도체 제조방법_이내성교수님.png
- 210105 10-2021-0000646_피 타입의 화합물 반도체 제조방법_이내성 과제보정서.pdf
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 p형 반도체층의 활성화 방법에 관한 것이다. 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 질화물 반도체의 p형 반도체층의 도판트 활성화 방법 및 이에 의해 제조되는 p형 반도체층을 제공하는데 있다.
Copyright 2021 Department of Hybrid Materials Research & Advanced Materials Engineering, Sejong University. All rights reserved.
143-747(05006) 서울특별시 광진구 능동로 209(군자동) 세종대학교 충무관 817호 하이브리드 재료 응용 연구소
Tel : +82-2-3408-3786 Fax : +82-2-3408-4342
